一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器

基本信息

申请号 CN202021132193.3 申请日 -
公开(公告)号 CN212231409U 公开(公告)日 2020-12-25
申请公布号 CN212231409U 申请公布日 2020-12-25
分类号 H03F1/26(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 李怀明;朱世贵 申请(专利权)人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
代理机构 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 代理人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
地址 611731四川省成都市高新西区天虹路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器,该放大器包括PHEMT放大管芯、源极匹配电路、有源偏置电路、输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路,PHEMT放大管芯FET1、源极匹配电路和有源偏置电路集成在GaAs芯片上,输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路由分立器件构成。本实用新型既可以很好地解决在高低温下放大管参数波动的问题,同时片上有源偏置结构体积远小于混合集成的BJT晶体管,更有利于减小体积、提高产品一致性、降低成本;本实用新型的放大器具有批量一致性好、体积小、成本低廉、灵活度高、噪声低、工作频段宽以及易于集成使用的优点,进而使得其在组件和微系统中应用更为灵活,使用更为方便。