一种磁控溅射镀膜装置

基本信息

申请号 CN201220744804.9 申请日 -
公开(公告)号 CN203021643U 公开(公告)日 2013-06-26
申请公布号 CN203021643U 申请公布日 2013-06-26
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 张俊峰;魏庆瑄 申请(专利权)人 马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司
代理机构 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 代理人 上海子创镀膜技术有限公司;马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司
地址 200000 上海市金山区金山工业区月工路888号3幢21区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及到一种磁控镀膜溅射装置,尤其涉及到一种基片台可自转和公转的磁控溅射镀膜装置,其包括机架台(9)、设置在机架台(9)顶端的下盖(7),通过下法兰设置在下盖(7)上的磁控腔室(8)、通过上法兰设置在磁控腔室(8)上端中心位置的基片台(3)、通过法兰设置在下盖(7)中心位置上的磁控靶装置(1),其特征在于,所述基片台(3)连接有第一电机(16)和第二电机(17),所述第一电机(16)控制基片台(3)自传,所述第二电机(17)控制基片台(3)公转,可控制基片的自转和公转,实现单个和多元的镀膜效果,提高了镀膜效率。