一种真空磁控溅射用新型平面阴极
基本信息
| 申请号 | CN201320857516.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203768448U | 公开（公告）日 | 2014-08-13 |
| 申请公布号 | CN203768448U | 申请公布日 | 2014-08-13 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 梁得刚;李征;张俊峰;李桂良 | 申请（专利权）人 | 马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海百一领御专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海子创镀膜技术有限公司;马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司 |
| 地址 | 201506 上海市金山区亭林镇金飞路808号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及到一种真空磁控溅射用新型平面阴极,其技术方案为真空磁控溅射用新型平面阴极通过真空腔体被隔离为真空侧(I)和大气侧(Ⅱ),真空腔体内设有阴极罩，其中，阴极罩与真空腔体之间设有绝缘板，绝缘板位于大气侧(Ⅱ)，可防止真空磁控溅射用新型平面阴极在镀膜过程中膜层的附着导致绝缘失效,在所述真空侧内的阴极罩上端安装有铜背板，铜背板的外侧焊接靶材,使得绝缘效果良好、稳定、安装方便。由于在屏蔽罩的外侧设有辅助阳极罩，从而使得靶材点火方便，保证镀膜效果均匀，提高了靶材利用率。 |
