一种镀膜用阴极磁棒装置
基本信息
| 申请号 | CN201220745127.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203021644U | 公开（公告）日 | 2013-06-26 |
| 申请公布号 | CN203021644U | 申请公布日 | 2013-06-26 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张俊峰 | 申请（专利权）人 | 马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海百一领御专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海子创镀膜技术有限公司;马鞍山子创功能性膜工艺研究院有限公司 |
| 地址 | 200000 上海市金山区金山工业区月工路888号3幢21区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及到一种磁控镀膜装置，尤其涉及到一种磁控溅射镀膜阴极磁棒装置，更涉及到一种防水、磁极均匀分布的磁控溅射镀膜阴极磁棒装置，本实用新型采用的技术方案是包括磁芯轴装置、以及设置在磁芯轴装置圆周上的磁钢座装置、设置在磁钢座装置上的磁钢装置，连接磁芯轴装置和磁钢座装置的抱箍装置，以及设置在磁钢座装置两侧的托辊装置，其中，所述磁钢装置包含中磁钢装置，侧中磁钢装置，端磁钢装置，所述中磁钢装置与侧中磁钢装置的排布夹角最佳为50°，所述中磁钢装置与端磁钢装置的排布夹角最佳为50°，本实用新型提高了镀膜阴极靶的溅射速率，沉积速率和靶材利用率。 |
