一种LED制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810012661.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108198915B | 公开（公告）日 | 2019-12-17 |
| 申请公布号 | CN108198915B | 申请公布日 | 2019-12-17 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）; H01L33/06（2010.01）; H01L33/32（2010.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李丹丹 | 申请（专利权）人 | 河北裂变客科技成果孵化器有限公司 |
| 代理机构 | 北京权智天下知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 廊坊熙泰科技有限公司 |
| 地址 | 065000 河北省廊坊市经济技术开发区创业路29号京津花园8#B座202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED制备工艺，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高速量子阱层、低速量子垒层，形成所述高速量子阱层时载片盘的转速大于形成所述低速量子垒层时载片盘的转速。本发明通过提高转速将铟掺入氮化镓中，避免了通过降低生长温度来提高铟的掺入量，可实现在更高的温度下沉积量子阱层，得到的量子阱层结晶质量更好；同时成本低廉，易于实现。 |
