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复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法

基本信息

申请号 CN201010032466.1 申请日 -
公开（公告）号 CN101769888B 公开（公告）日 2012-09-05
申请公布号 CN101769888B 申请公布日 2012-09-05
分类号 G01N27/12(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 施云波;赵文杰;周真;修德斌;冯侨华;何梦资 申请（专利权）人 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 哈尔滨理工大学;哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
地址 150002 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
法律状态 -

摘要

摘要 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。