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一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器

基本信息

申请号 CN201010300140.2 申请日 -
公开（公告）号 CN101762623B 公开（公告）日 2012-11-21
申请公布号 CN101762623B 申请公布日 2012-11-21
分类号 G01N27/04(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 施云波;赵文杰;周真;修德斌;冯侨华;何梦资 申请（专利权）人 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 哈尔滨理工大学;哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
法律状态 -

摘要

摘要 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。