复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010032466.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101769888A | 公开（公告）日 | 2010-07-07 |
| 申请公布号 | CN101769888A | 申请公布日 | 2010-07-07 |
| 分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 施云波;赵文杰;周真;修德斌;冯侨华 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 哈尔滨理工大学;哈尔滨源创微纳科技开发有限公司 |
| 地址 | 150002黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。 |
