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非制冷红外焦平面阵列非均匀性校正的方法和装置

基本信息

申请号	CN201410820351.7	申请日	-
公开（公告）号	CN104677501A	公开（公告）日	2015-06-03
申请公布号	CN104677501A	申请公布日	2015-06-03
分类号	G01J5/00(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	雷述宇	申请（专利权）人	广微科技集团有限公司
代理机构	北京汉昊知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	广微科技集团有限公司
地址	100022 北京市朝阳区建国门外大街甲6号中环世贸C座5层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种非制冷红外焦平面阵列非均匀性校正的方法。所述方法包括：a、对非制冷红外焦平面阵列上的每个像元在两个目标温度下进行两次测试，得到第一和第二目标温度下每个像元的输出电压；b、分别对所述第一和第二目标温度下所有像元的输出电压求平均值。c、根据所述平均值，分别计算各像元在第一和第二目标温度下的输出电压值与该温度下所有像元的输出电压平均值的输出电压差异量；d、依次对各像元在第一和第二目标温度下得到的两个输出电压差异量进行运算，得到各像元所需的电压调节量；e、根据所述各像元的电压调节量在查找表中查询所需DAC偏移量；f、用所述的DAC偏移量对各像元的输出进行校正，完成对整个阵列非均匀性校正。