一种分散性好并具有高荧光强度的二硫化钽纳米晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810112385.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110117029A | 公开（公告）日 | 2019-08-13 |
| 申请公布号 | CN110117029A | 申请公布日 | 2019-08-13 |
| 分类号 | C01G35/00;C09K11/67 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 李学铭;唐利斌;周亮亮;潘峰;杨艳波;鲁朝宇;梁晶 | 申请（专利权）人 | 昆明北理工产业技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 650500 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种分散性好且具有高荧光强度的二硫化钽纳米晶的制备方法，鉴于纳米晶具有比表面效应、小尺寸效应、界面效应和宏观量子效应等特性，可广泛应用于电子器件、能量存储、催化产氢等领域。近年来，TaS2纳米晶作为一种新型过渡金属硫族化合物纳米材料，当TaS2的特征尺寸在三个维度上都与电子的德布罗意波长或电子平均自由程相比拟或更小时，电子在材料中的运动受到了三维限制，就会形成TaS2纳米晶，在其表面就存在较多的电子陷阱，电子陷阱对半导体的光致发光特性起着关键的作用，因此具有比体材料更强的光电性能而成为一个研究热点，就能显示出了更强的荧光性、良好的分散性等特性，可望应用在场效应晶体管、传感器等方面具有非常重要的价值和发展前景。 |
