一种高迁移率、高透光IGZO薄膜的制备方法及其应用专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高迁移率、高透光IGZO薄膜的制备方法及其应用

基本信息

申请号	CN202111452165.9	申请日	-
公开（公告）号	CN114134475A	公开（公告）日	2022-03-04
申请公布号	CN114134475A	申请公布日	2022-03-04
分类号	C23C14/35（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	罗派峰;孙甲;张兵;曾墩风;王志强	申请（专利权）人	芜湖映日科技股份有限公司
代理机构	合肥云道尔知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	陈兰
地址	230000安徽省合肥市屯溪路193号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高迁移率、高透光IGZO薄膜的制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：将高透玻璃依次放置在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗各20min，将超声清洗完成后的高透玻璃用氮气吹干，并放置于120℃恒温加热台上加热10min，蒸发玻璃表面的水分；将清洁后的高透玻璃放置到磁控溅射镀膜设备中，并将IGZO靶材固定在镀膜设备的阴极上，抽真空至9×10‑5Pa，通入氧气与氩气混合气体，打开溅射电源，预溅10min，打开挡板和自转电机，溅射沉积IGZO薄膜；将溅射完成的IGZO薄膜放置到管式炉中，退火过程中持续通过干燥空气，退火温度为150～250℃，退火时间为60min。本发明在降低薄膜制备成本的同时，能够有效提高薄膜的透过率和迁移率。