稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法
基本信息
申请号 | CN202111234757.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114032517A | 公开(公告)日 | 2022-02-11 |
申请公布号 | CN114032517A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 王志强;马建保;林燕明;曾墩风;陶成;毕荣锋 | 申请(专利权)人 | 芜湖映日科技股份有限公司 |
代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨静 |
地址 | 241000安徽省芜湖市中国(安徽)自由贸易试验区芜湖片区衡山路南侧、凤鸣湖北路西侧1#厂房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法,属于ITO靶材领域,通过粉末真空上料‑粉末粗磨‑‑粉末精磨‑粉末纳米级砂磨‑浆料配胶‑喷雾造粒‑混合过筛制得ITO靶材的粉末,再进行干压、冷等静压成型‑素坯进行车削加工‑烧结‑机加工‑绑定检测,通过添加稀土氧化物粉体,解决了高铟锡比ITO靶材致密度不高、容易开裂的问题,提高了薄膜的载流子迁移率,可以更好地应用于太阳能电池行业。 |
