自耦变压器高压侧的调压方法、器身结构及自耦变压器
基本信息
| 申请号 | CN201911055033.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750603A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112750603A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01F27/28;H01F27/24;H01F29/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙银年;赵国峰;马勇;杨炜;伊新萍;高娃 | 申请（专利权）人 | 特变电工京津冀智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗建民;邓伯英 |
| 地址 | 301700 天津市武清区汽车产业园云景道1号汽车大厦603室-20（集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种自耦变压器高压侧的调压方法，包括：将低压绕组、分接绕组和公共绕组分别绕制在同一恒磁通铁心柱上；将激磁绕组和串联绕组分别绕制在同一变磁通铁心柱上；将串联绕组与公共绕组串联连接，将激磁绕组与分接绕组串联后与低压绕组并联；调整分接绕组的接入匝数，从而改变变磁通铁心柱上的激磁绕组的电压，使得同一变磁通铁心柱上的串联绕组的电压相应改变，以实现对该自耦变压器高压侧的调压。还提供一种自耦变压器的器身结构及自耦变压器。该方法通过使用低电压等级的分接开关对高电压侧绕组进行调压，从而可降低分接开关的制造难度，降低变压器成本。 |
