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一种大发光角度的Mini-LED芯片用衬底的制造方法

基本信息

申请号 CN202011068083.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112216771A 公开（公告）日 2021-01-12
申请公布号 CN112216771A 申请公布日 2021-01-12
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李志聪;王恩平;戴俊;王国宏;吴杰 申请（专利权）人 扬州中科半导体照明有限公司
代理机构 扬州云洋知识产权代理有限公司 代理人 高斯博
地址 225000江苏省扬州市临江路186号1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种大发光角度的Mini‑LED芯片用衬底的制造方法，涉及光电子制造技术领域，包括步骤为：准备已经制作好发光外延层结构及电极结构的衬底；在衬底背面涂覆氯化物的饱和盐溶液，并对衬底背面进行烘烤直至水分完全蒸发形成微纳米尺度的氯化物颗粒，且氯化物颗粒随机分布于衬底背面表层；以氯化物颗粒组成的图案作为掩膜，对衬底背面进行等离子刻蚀，刻蚀结束后将衬底背面的氯化物颗粒清洗干净，衬底背面形成微纳米尺度且随机分布的凹坑结构。本发明对衬底本身进行工艺处理，以有效提升Mini‑LED的发光角度。