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一种大发光角度衬底的加工方法

基本信息

申请号 CN202011058458.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112216770A 公开（公告）日 2021-01-12
申请公布号 CN112216770A 申请公布日 2021-01-12
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李志聪;戴俊;王恩平;王国宏;吴杰 申请（专利权）人 扬州中科半导体照明有限公司
代理机构 扬州云洋知识产权代理有限公司 代理人 高斯博
地址 225000江苏省扬州市临江路186号1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种大发光角度衬底的加工方法，涉及LED光电子器件的制造技术领域，包括步骤为：准备已经制作好发光外延层结构及电极结构的衬底；在衬底背面蒸镀一层金属膜，并对金属膜进行高温快速退火获得微纳米尺度的球状金属颗粒，且球状金属颗粒随机分布于衬底背面表层；以球状金属颗粒组成的图案作为掩膜，对衬底背面进行刻蚀，衬底背面无球状金属颗粒覆盖的区域被刻蚀出凹坑，刻蚀结束后，利用硝酸或王水浸泡，将衬底背面的球状金属颗粒去除，衬底背面形成微纳米尺度且随机分布的凹坑结构。本发明对衬底本身进行工艺处理，以有效提升LED的发光角度。