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一种LED芯片阵列膜的制作工艺

基本信息

申请号 CN202011416870.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112563386A 公开（公告）日 2021-03-26
申请公布号 CN112563386A 申请公布日 2021-03-26
分类号 H01L33/52(2010.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李志聪;王国宏;戴俊;王恩平 申请（专利权）人 扬州中科半导体照明有限公司
代理机构 扬州云洋知识产权代理有限公司 代理人 李炳泉
地址 225000江苏省扬州市临江路186号1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种LED芯片阵列膜的制作工艺，涉及LED技术领域，包括如下具体步骤：在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上，将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式；在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架；向胶体框架内注入液体胶状物，静置一段时间直至液体胶状物自然流平，然后对液体胶状物进行固化，使之形成平整的胶状薄膜；将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离并取走，得到所需的芯片阵列膜。本发明工艺简单，极大降低成本的同时，相较于传统的压膜工艺，避免了气泡现象的发生，有效提高良品率。