光固化封装组合物、封装结构及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201911275752.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110894361B | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN110894361B | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | C08L83/04（2006.01）I;C08G77/14（2006.01）I;C08G77/06（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L51/52（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 王士昊;洪海兵;杨楚峰 | 申请（专利权）人 | 浙江福斯特新材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁文惠 |
| 地址 | 311305浙江省杭州市临安区青山湖街道大园路1235号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种光固化封装组合物、封装结构及半导体器件。包括可光固化含硅单体、可光固化含环氧烷基稀释剂和光引发剂，可光固化含硅单体具有如下结构式：其中，n是0到50的任意一个整数，X1、X2、X3、X4、X5、X6中的至少一个是取代或未经取代的C6到C50的芳基、取代或未取代的C7到C50的芳烷基中的任意一种，由于采用具有上述结构式I的可固化含硅单体作为聚合的单体，由于其中包含的苯环和环氧基团，在将其与可固化含环氧烷基稀释剂进行配合时，所形成的聚合物薄膜具有更高的光透过率、更高的固化速度、更低的等离子体刻蚀速率，从而更好地满足了现有技术中封装薄膜的要求。 |
