压力传感器的制备方法

基本信息

申请号 CN201510772381.X 申请日 -
公开(公告)号 CN106706175B 公开(公告)日 2021-03-09
申请公布号 CN106706175B 申请公布日 2021-03-09
分类号 G01L1/14(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 刘孟彬;毛剑宏 申请(专利权)人 上海丽恒光微电子科技有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 李时云
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法,包括:提供一半导体基板;形成压力感应层;在压力感应层上形成掩膜层;刻蚀压力感应层,在压力感应层的顶壁上未被掩膜层保护的区域形成开口;利用第一灰化工艺去除所述掩膜层;对刻蚀后的压力感应层进行湿法清洗;利用第二灰化工艺,通过所述开口去除牺牲层,从而通过湿法去除了之前工艺过程中产生的聚合物又化学溶液进入电容空腔,提高了电性的稳定性,改善了器件的性能。