探测传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510443737.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106373941B | 公开（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申请公布号 | CN106373941B | 申请公布日 | 2019-05-31 |
| 分类号 | H01L23/528（2006.01）I; H01L31/09（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I; B81B7/02（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨天伦; 毛剑宏; 刘孟彬 | 申请（专利权）人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种探测传感器，包括：半导体基底；隔离层，形成于所述半导体基底上；互连层，形成于所述隔离层上；第一插塞，形成于所述半导体基底上，并位于所述隔离层和互连层中，所述第一插塞与互连层形成电连接；导电垫片，形成于所述互连层上，并与所述互连层形成电连接；上层牺牲层，位于所述互连层上，并覆盖所述第一插塞和导电垫片；第二插塞，形成于所述上层牺牲层中，所述第二插塞的底部与所述导电垫片电连接；以及感应单元，形成于所述上层牺牲层上，所述感应单元与所述第二插塞电连接。本发明还提供一种探测传感器的制备方法。本发明的探测传感器及其制备方法，可以有效地提高感应单元的有效感应面积。 |
