压力传感器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610696305.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107764439B | 公开（公告）日 | 2020-01-24 |
| 申请公布号 | CN107764439B | 申请公布日 | 2020-01-24 |
| 分类号 | G01L1/14;B81C3/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 刘孟彬;毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；在所述半导体基底的上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；在所述介电层上键合一晶圆，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；减薄所述晶圆至一预定厚度；在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。本发明的压力传感器的制备方法中，顶部电极以晶圆方式键合到所述半导体基底上，避免在所述半导体基底上淀积多晶硅，从而避免使用高温。 |
