压力传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610443905.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107525611B | 公开（公告）日 | 2019-10-25 |
| 申请公布号 | CN107525611B | 申请公布日 | 2019-10-25 |
| 分类号 | G01L1/14;G01L9/12;B81B7/02;B81C1/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 刘孟彬;毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的压力传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔，第一空腔上的第一感应层中具有第一开口阵列，第二感应层与第一感应层之间形成第二空腔，半导体衬底的背面具有与第一空腔连通的第三开口；形成第三感应层，第三感应层与第二感应层之间形成第三空腔，第三空腔上的第三感应层中具有第二开口阵列；介质层覆盖第三感应层及剩余的半导体衬底正面；第一电极与第一感应层电性连接，第二电极与第二感应层电性连接，第三电极与第三感应层电性连接。 |
