MEMS传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510439014.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106365115B | 公开（公告）日 | 2019-08-23 |
| 申请公布号 | CN106365115B | 申请公布日 | 2019-08-23 |
| 分类号 | B81C3/00;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种MEMS传感器及其制备方法，包括步骤：提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含有MEMS器件的第二半导体基底；键合第一半导体基底和第二半导体基底；在所述第二半导体基底上形成第一互连插塞；在所述第一半导体基底和第二半导体基底上形成贯通第二半导体基底的第二互连插塞；第二半导体基底表面形成导电互连第一互连插塞和第二互连插塞的金属互连层，可以解决CMOS电路和MEMS器件之间的电学连接问题，简化封装方法。 |
