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压力传感器的制备方法

基本信息

申请号 CN201510771467.0 申请日 -
公开（公告）号 CN106706173B 公开（公告）日 2021-04-02
申请公布号 CN106706173B 申请公布日 2021-04-02
分类号 G01L1/14(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 刘孟彬;毛剑宏;杨天伦 申请（专利权）人 上海丽恒光微电子科技有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李时云
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板表面形成压力感应层，压力感应层与半导体基板间形成空腔，空腔上的压力感应层中有第一开口；形成非晶碳层，非晶碳层覆盖压力感应层，填充部分第一开口；形成第一介质层，第一介质层覆盖非晶碳层，完全覆盖第一开口；刻蚀第一介质层，保留空腔边缘上的第一介质层；以第一介质层为掩膜刻蚀非晶碳层；形成保护层，保护层覆盖压力感应层和第一介质层；刻蚀保护层，去除第一介质层上的保护层，在保护层中形成第二开口，第二开口为压力传感器的压力传感区；去除第二开口中的非晶碳层和第一介质层。本发明中，避免压力感应层受到刻蚀的损伤，防止杂质进入空腔，提高压力传感器性能。