快恢复二极管及制作该二极管的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210077697.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103311314B | 公开（公告）日 | 2016-08-03 |
| 申请公布号 | CN103311314B | 申请公布日 | 2016-08-03 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾会霞 | 申请（专利权）人 | 深圳市立德电控科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518172 广东省深圳市龙岗区清林西路深圳市留学人员(龙岗)创业园一园225 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度，所述第一N型掺杂半导体层的宽度为5μm至50μm、掺杂浓度为5e12/cm3?5e14/cm3。上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。本发明还提供了一种快恢复二极管的制作方法。 |
