基于CMOS工艺的箱型金属电容结构
基本信息
| 申请号 | CN201720636889.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206877991U | 公开（公告）日 | 2018-01-12 |
| 申请公布号 | CN206877991U | 申请公布日 | 2018-01-12 |
| 分类号 | H01L23/64 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程子川 | 申请（专利权）人 | 浙江敏源传感科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市卓华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘兴安 |
| 地址 | 314015 浙江省嘉兴市秀洲区新塍镇兴新路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种基于CMOS工艺的箱型金属电容结构，主要由上下分布的多层金属层构成，包括下面层、上面层以及设置在所述下面层和上面层之间的叉指结构层，所述叉指结构层包括边框以及位于所述边框内的顶板叉指、底板叉指和纵向连接条，用作连接层的叉指结构层在边框上设置边框缺口，使纵向连接条和位于中央的顶端叉指的两端分别从这些缺口延伸出来，形成各方向上的连接端。本实用新型将顶端叉指封闭由底端电极围成的箱体内，大幅度减小了顶端电极侧的寄生电容，能够很好地适应SAR ADC等电路设计，并且连接简便，布局整洁。 |
