一种基于被动式负阻结构的正交单边带混频装置
基本信息
| 申请号 | CN201920782603.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210225343U | 公开（公告）日 | 2020-03-31 |
| 申请公布号 | CN210225343U | 申请公布日 | 2020-03-31 |
| 分类号 | H03B1/04(2006.01)I;H03B5/12(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 胡昂;张科峰;逯召静;刘览琦;杨阳;石琴琴;谭珍 | 申请（专利权）人 | 武汉芯泰科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430074湖北省武汉市东湖开发区东信路数码港（留学生创业园）C栋2116室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于被动式负阻结构的正交单边带混频装置，属于半导体集成电路技术领域，该正交单边带混频装置包括第一单边带混频器(100)、第二单边带混频器(200)、第一缓冲器(300)和第二缓冲器(400)；其中，所述第一单边带混频器(100)包括第一混频电路(101)、第二混频电路(102)、第一加法电路(103)和第一被动式负阻(104)；所述第一被动式负阻(104)在小信号时呈正常的LC结构，Q值低，工作频率范围宽；在大信号时呈现负阻特性，等效负载Q值增加，频率选择性增强。本实用新型具有同时兼顾工作频率范围与频率选择性的优势。 |
