磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统
基本信息
| 申请号 | CN201810219121.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108385079A | 公开（公告）日 | 2018-08-10 |
| 申请公布号 | CN108385079A | 申请公布日 | 2018-08-10 |
| 分类号 | C23C14/56;C23C14/35;C23C16/54;C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 无锡奥芬光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 殷红梅;刘海 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路18路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：包括蒸发室和反应室；所述反应室包括基板转架，在基板转架外侧壁上设置有基板安装位，基板安装位包括对称设置在基板转架外侧壁上的上固定槽和下固定槽；所述磁控溅射蒸发室固定设有靶材承载部，在其上承载靶材；磁控溅射蒸发室的侧壁上设有磁控溅射阴极，磁控溅射阴极与其对应的电源连接；所述原子层沉积蒸发室设置有与基板转架相对、平行的气体分配器，所述气体分配器包括进气管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述进气管道的出口。本发明实现磁控溅射、原子层沉积的成膜一体化，满足不同膜层厚度要求的样品的一次性制备。 |
