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一种用于发光二极管衬底剥离的装置

基本信息

申请号 CN201110091809.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102738314B 公开（公告）日 2014-12-03
申请公布号 CN102738314B 申请公布日 2014-12-03
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王明敏 申请（专利权）人 同方光电科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
法律状态 -

摘要

摘要 一种用于发光二极管衬底剥离的装置，涉及半导体发光二极管技术领域。本发明的剥离结构包括倒置的发光二极管和倒置的发光二极管下方的支撑衬底。所述发光二极管包括依次置于蓝宝石衬底上方的缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和反射层。其结构特点是，所述剥离结构的外围置有从支撑衬底下方至蓝宝石衬底处的固体支撑，固体支撑和剥离结构之间填充粘胶，粘胶的上端用所设金属压环密封。本发明能避免氮化镓系垂直发光二极管在剥离时导致的过冲现象以及引入的较大颗粒污物引起的非正常掩蔽现象，提高产品的良率，适用于高频率激光器的使用，提高生产效率。