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一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法

基本信息

申请号 CN201310023732.8 申请日 -
公开（公告）号 CN103943731B 公开（公告）日 2017-03-15
申请公布号 CN103943731B 申请公布日 2017-03-15
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马亮;梁信伟 申请（专利权）人 同方光电科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
法律状态 -

摘要

摘要 一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法，涉及半导体光电子领域。本发明的方法步骤为：对外延片进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽表面的等温面空间分布及其弯曲度；调整托盘的加热温度，使外延片表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片弯曲度和凹槽表面等温面的弯曲度相等。同现有技术相比，本发明生长方法通过控制外延片晶体生长时的弯曲度，有效提高氮化物LED或LD外延片发射波长均匀性。