一种倒装结构发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210273949.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103579447B | 公开（公告）日 | 2016-12-21 |
| 申请公布号 | CN103579447B | 申请公布日 | 2016-12-21 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑兆祯;朱俊宜;郭德博;涂庆明 | 申请（专利权）人 | 同方光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种倒装结构发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、P型半导体层、量子井发光层、N型半导体层和非掺杂层。其结构特点是，所述金属支撑衬底和P型半导体层之间还置有N型欧姆接触金属层、绝缘膜和反射金属层。反射金属层上方及周围置有多层金属并延伸至旁边作为P型电极，金属支撑衬底经由N型欧姆接触金属层与N型半导体层连接为N型电极。同现有技术相比，本发明能有效避免发光二极管芯片侧壁漏电，提高芯片的可靠性能，并保留原垂直式LED结构的优点，使其发挥最大的效能。 |
