一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201310023732.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103943731A | 公开（公告）日 | 2014-07-23 |
| 申请公布号 | CN103943731A | 申请公布日 | 2014-07-23 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马亮;梁信伟 | 申请（专利权）人 | 同方光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法，涉及半导体光电子领域。本发明的方法步骤为：①对外延片进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽表面的等温面空间分布及其弯曲度；②调整托盘的加热温度，使外延片表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片弯曲度和凹槽表面等温面的弯曲度相等。同现有技术相比，本发明生长方法通过控制外延片晶体生长时的弯曲度，有效提高氮化物LED或LD外延片发射波长均匀性。 |
