一种能提高LED光效的芯片加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201310023352.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103943744A | 公开（公告）日 | 2014-07-23 |
| 申请公布号 | CN103943744A | 申请公布日 | 2014-07-23 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赖鸿章 | 申请（专利权）人 | 同方光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光电技术领域。本发明芯片加工方法步骤为：①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近，形成沟槽；②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀，获得期望的形貌；③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟槽的位置形成内划痕；④以内划痕的位置进行裂片，分为各独立的发光二级管芯片。同现有技术相比，本发明方法同时采用高温侧壁腐蚀工艺与隐形切割工艺，能更大程度的提高LED芯片的亮度。 |
