一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201210508820.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103855262A | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN103855262A | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马亮;梁信伟 | 申请（专利权）人 | 同方光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本发明结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，不同量子垒的最大禁带宽度或膜层厚度呈现渐变方式分布。同现有技术相比，本发明能减小或者消除氮化物LED在大电流驱动条件下的“能效降低”问题，提高器件的量子效率。 |
