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一种垂直结构发光二极管的制备方法

基本信息

申请号	CN201110074979.3	申请日	-
公开（公告）号	CN102709427B	公开（公告）日	2014-12-03
申请公布号	CN102709427B	申请公布日	2014-12-03
分类号	H01L33/36(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	纪涛;郭德博;张华东;刘刚	申请（专利权）人	同方光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
法律状态	-

摘要

一种垂直结构发光二极管的制备方法，涉及光电技术领域。本发明步骤为：在蓝宝石基板上依次生长N型半导体层、量子阱有源区和P型半导体层；在P型半导体层上蒸镀反射金属层；刻蚀形成隔离沟槽；填充光刻胶；在器件表面沉积扩散阻挡层，再电镀种子层，形成衬底并退火；将蓝宝石基板剥离；在N型半导体层表面进行表面粗化；刻蚀出器件分离或切割的跑道；沉积多层介质膜，形成绝缘保护层；刻蚀出电极槽，并分别在N型半导体层上蒸镀两个N型电极和在衬底上蒸镀一个第三电极；将器件从底面减薄至光刻胶的底平面位置；对器件从隔离沟槽中心进行切割，分离形成单个器件。本发明在芯片的N面形成了一个新的第三电极作为测试电极，实现了对垂直芯片的大规模、高效率测试，测量数据准确。