一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202011593563.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695615A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695615A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;G01N21/65（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘革波;周全 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用，所述表面增强拉曼散射基底包括依次层叠设置的光源层、半导体衬底层以及拉曼散射材料层。本发明在基底中引入原位光源层，实现拉曼散射的原位增强，能够提升基底的光利用率，表面增强效果更好，具有较高的稳定性、灵敏度和重现性，能够满足多种需求的拉曼散射器件，且制备工艺简单，成本低廉。 |
