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一种宽工作电压的CMOS射频放大器

基本信息

申请号 CN202110289558.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112953416A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112953416A 申请公布日 2021-06-11
分类号 H03F3/189;H03F3/20 分类 基本电子电路;
发明人 张辉;李俊 申请（专利权）人 上海旦迪通信技术有限公司
代理机构 上海诺衣知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 刘艳芝
地址 200000 上海市松江区九亭镇久富路299号5幢二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种宽工作电压的CMOS射频放大器，包括共源管和共栅管共同组成的共源共栅结构、共源管和共栅管各自的偏置电路；共栅管的偏置电路用于调节共栅管栅的栅极工作电压；共源管的偏置电路用于控制共源管的开关工作状态及共源管的栅极电压；通过调节共栅管的栅极电压，来调节共源管的漏极电压。本发明提供的CMOS射频放大器，可以适用于标准CMOS、RF CMOS、CMOS SOI等工艺各种节点，使用低压MOS FET器件就能使电路既能工作在1.8V，同时又支持2.8V甚至3.3V、3.6V不同应用场景宽工作电压器，而避免CMOS射频放大器里的薄栅或厚栅MOS FET管被电压击穿。