一种深紫外线发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911412342.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129249A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN111129249A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张丽;刘亚柱;齐胜利;吴化胜 | 申请（专利权）人 | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王华英 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种深紫外线发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。所述深紫外线发光二极管包括：基板，设置在基板上的N型半导体层、发光层、P型半导体层；连接在N型半导体层上的第一电极垫；连接在P型半导体层上的第二电极垫；其中第一电极垫包含金属多层交替结构的欧姆电极。本发明通过设置金属多层交替结构的欧姆电极，并提供新的台面刻蚀工艺，解决了传统工艺欧姆电极接触电阻高、耐高温性差、易老化、外观粗糙等问题。 |
