一种深紫外LED外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111025420.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113745379A | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN113745379A | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁涛;周飚;郭丽彬;齐胜利 | 申请（专利权）人 | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 代理机构 | 合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏玉娇 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种应用于深紫外发光二极管的外延结构及制备方法，具体步骤如下：提供一平片衬底；生长AlN缓冲层；对AlN缓冲层进行等离子体预处理；生长AlN低温层；生长AlN高温层；生长n型AlGaN层；生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑xN多量子阱有源层；生长Mg掺杂的p型AlGaN层，Mg掺杂的p型AlGaN层和Mg掺杂的p型GaN层。通过等离子体轰击AlN缓冲层表面以在AlN缓冲层铺上一层气体原子，AlN缓冲层所铺上的一层气体原子改变了AlN缓冲层表面的极性，使得后续在AlN缓冲层沉积吸附的AlN的晶体原子排列较为整齐，从而减少了外延层中的晶体缺陷，改善AlN薄膜的晶体质量，减少穿透位错，提升深紫外发光二极管的光电性能。 |
