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一种图形化深紫外LED外延结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111025819.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113782651A	公开（公告）日	2021-12-10
申请公布号	CN113782651A	申请公布日	2021-12-10
分类号	H01L33/06（2010.01）;H01L33/32（2010.01）;H01L33/20（2010.01）;H01L33/14（2010.01）;H01L33/00（2010.01）	分类	基本电气元件;
发明人	丁涛;刘亚柱;齐胜利	申请（专利权）人	宁波安芯美半导体有限公司
代理机构	合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	魏玉娇
地址	315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种图形化深紫外LED外延结构及其制备方法，结构上从上到下依次包括：平片衬底、六方氮化硼成核层、介质层、AlN低温层、AlN高温层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、Mg掺杂的p型AlGaN阻挡层、Mg掺杂的p型AlGaN层、Mg掺杂的p型GaN层，所述六方氮化硼成核层和介质层在平片衬底面上交互生长，介质层呈图形化周期排列。本发明采用贴掩膜或者光刻技术在六方氮化硼成核层中制得呈图形化阵列排布的微孔，然后在微孔中沉积介质层，该结构促进AlN材料的横向外延生长。六方氮化硼散热性好，可以大幅提高氮化铝器件的性能，同时六方氮化硼可以释放衬底层与AlN层之间的应力使得AlN易于剥离，能显著减少AlN位错，提高AlN晶体质量。