深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110002673.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768580B | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN112768580B | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | H01L33/20（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘亚柱;齐胜利;周飚;郭丽彬 | 申请（专利权）人 | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 代理机构 | 合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏玉娇 |
| 地址 | 315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及LED技术领域，技术涉及一种深紫外LED外延结构、深紫外LED及其制备方法。所述深紫外LED外延结构的制备方法如下：在衬底上生长深紫外LED外延层至P型AlGaN层，在深紫外LED外延层P型AlGaN层模板的基础上，在上面做图形化SiO2，然后在外延在此基础上生长P型GaN层，把图形化SiO2外延层刻蚀掉，即制得深紫外LED外延结构；然后在刻蚀掉SiO2层的位置镀上Al电极，即制得深紫外LED。图形化SiO2被刻蚀后的位置镀上的Al电极，可有效增加光的反射，增加出光。同时，Al电极附近较薄的P型GaN层可有效减少P型GaN层的吸光，提升UVC产品的发光效率，同时特殊工艺的Al电极，可增加光的反射，增加出光效率，提升器件的光电性能，特别可满足大功率产品的需求。 |
