一种具有Cu过渡层的超级电容器极片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911292519.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110828195A | 公开（公告）日 | 2020-02-21 |
| 申请公布号 | CN110828195A | 申请公布日 | 2020-02-21 |
| 分类号 | H01G11/26;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/86 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蓝海玲;胡永清;朱归胜;沓世我;农剑;陈伟冬;陈春辉 | 申请（专利权）人 | 广东风华超容科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文 |
| 地址 | 526000 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有Cu过渡层的超级电容器极片，所述超级电容器极片包括基体、两层Cu过渡层和两层碳涂层，所述两层Cu过渡层分别涂覆于基体的双面，所述两层碳涂层分别涂覆于两层Cu过渡层的另一表面。本发明通过磁控溅射的方式进行集流体的改性，通过增加Cu过渡层，使碳涂层与集流体的接触内阻大为降低，从而实现整体内阻的降低，并且在循环后依然保持较低内阻，大为延长超级电容器产品的寿命。 |
