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一种具有C过渡层的超级电容器极片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201911288678.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110797213B 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN110797213B 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01G11/26（2013.01）I;H01G11/32（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 蓝海玲;胡永清;朱归胜;沓世我;农剑;陈伟冬;陈春辉 申请（专利权）人 广东风华超容科技有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 颜希文
地址 526000 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种具有C过渡层的超级电容器极片，所述超级电容器极片包括基体、两层C过渡层和两层碳涂层，所述两层C过渡层分别涂覆于基体的双面，所述两层碳涂层分别涂覆于两层C过渡层的另一表面。本发明通过磁控溅射的方式进行基体的改性，通过增加C过渡层，使碳涂层与基体的接触内阻大为降低，从而实现整体内阻的降低，并且在循环后依然保持较低内阻，大为延长超级电容器产品的寿命；因过渡层为同种材料，涂层与基体间的附着力更好，过渡效果更好；且C靶材制备方便且可以通过研磨的方式循环使用，有效节约成本。