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强化沸腾结构及电子芯片

基本信息

申请号 CN202023122543.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215600351U 公开（公告）日 2022-01-21
申请公布号 CN215600351U 申请公布日 2022-01-21
分类号 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/467（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I;H01L23/427（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张鹏;默蓬勃;伊波力;郭双江 申请（专利权）人 曙光数据基础设施创新技术（北京）股份有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 董艳芳
地址 100082北京市海淀区东北旺西路8号院36号楼5层528室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种强化沸腾结构及电子芯片，涉及散热技术领域，该强化沸腾结构包括导热基板、散热肋和微纳凹凸结构，散热肋位于导热基板的第一表面上，微纳凹凸结构形成于第一表面和散热肋的表面；散热肋的尺寸为微米至毫米级。该强化沸腾结构通过散热肋和微纳凹凸结构，提高了核态沸腾换热性能及电子芯片的临界热流密度，从而提高了电子芯片的散热效果。