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碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN201310492586.3	申请日	-
公开（公告）号	CN103606551A	公开（公告）日	2014-02-26
申请公布号	CN103606551A	申请公布日	2014-02-26
分类号	H01L29/10(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	倪炜江;陈彤	申请（专利权）人	邳州瑞源电气科技有限公司
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	泰科天润半导体科技（北京）有限公司;邳州瑞源电气科技有限公司
地址	100192 北京市海淀区清河西小口路66号中关村东升科技园B-1西厅
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种沟槽型半导体器件的制作方法。该方法包括在依次具有第一导电类型的基底、漂移层、沟道层的半导体衬底上淀积第一掩膜层和第二掩膜层，利用形成在第二掩膜层中的图形刻蚀沟道层形成沟槽；各向同性地在沟槽底部、沟道侧壁和第二掩膜层上淀积第三掩膜层；各向异性地刻蚀第三掩膜层，剩余沟道顶部的第一掩膜层和第二掩膜层以及沟道侧壁上的第三掩膜层；以所述剩余的第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层作为掩膜，对沟槽底部漂移层中暴露的区域进行离子注入，在漂移层中形成第二导电类型的离子注入区。去除第二掩膜层。选择性的在所述沟槽底部暴露的离子注入区上外延生长第二导电类型的外延层；去除剩余的第一掩膜层和第三掩膜层以暴露有源区结构，并形成电极层。