一种半导体蚀刻的液体增压系统的控制方法

基本信息

申请号 CN202110317325.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113035757A 公开(公告)日 2021-06-25
申请公布号 CN113035757A 申请公布日 2021-06-25
分类号 H01L21/67;G05D27/02 分类 基本电气元件;
发明人 熊绎;刘峻;高扬;张晶晶;顾思;朱颖怡 申请(专利权)人 安徽中科新源半导体科技有限公司
代理机构 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 管林林
地址 226500 江苏省南通市如皋市城南街道电信东一路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体蚀刻的液体增压系统的控制方法,液体增压系统应用于半导体制程过程中的更换,控制方法包括:上位机根据不同半导体制程提供液体增压系统所需的操作目标命令;监控液体增压系统的操作参数;确定用于液体增压系统的操作目标命令与液体增压系统的操作参数中的对应操作参数之间的误差值;误差值大于15%L/Min时,使用PID控制器基于误差值来确定排程的PID增益,基于修改后的排程PID增益来确定用于液体增压系统的系统控制命令,以及基于用于液体增压系统的系统控制命令来控制液体增压系统,本发明通过调节液体流量的恒速,提高了蚀刻的质量。