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一种图形化蓝宝石复合衬底及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010208451.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111341894A 公开（公告）日 2020-06-26
申请公布号 CN111341894A 申请公布日 2020-06-26
分类号 H01L33/20(2010.01)I 分类 -
发明人 孙永健;豆学刚;郑会刚;邓海燕;田克旺;武志川 申请（专利权）人 保定中创燕园半导体科技有限公司
代理机构 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 代理人 王葶葶
地址 071051河北省保定市向阳北大街2599号8017室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种图形化蓝宝石复合衬底及制备方法，衬底包括平片蓝宝石衬底和SiO2异质薄膜；在异质薄膜端有高度1.2‑2.2um、底径1.2‑4.5um和周期1.5‑4.0um的圆锥图形，圆锥图形分布在异质薄膜层或分布在异质薄膜层和平片蓝宝石衬底的上端，平片蓝宝石衬底刻蚀深度为50‑300nm。该衬底通过激光扫描底部加热的方法纠正弯曲的平片蓝宝石衬底晶格失配，复合蓝宝石衬底的制备，匀胶机匀胶，掩模层的形成，硅胶软膜的制备，掩模层图形化及用ICP设备进行等离子体刻蚀形成有规则的圆锥图形等制成。本发明有效纠正了蓝宝石晶格失配，释放了蓝宝石内部应力，增加了光提取效率，提高了生产效率，降低了成本。