一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底
基本信息
| 申请号 | CN201920193021.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209544284U | 公开（公告）日 | 2019-10-25 |
| 申请公布号 | CN209544284U | 申请公布日 | 2019-10-25 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L33/00（2010.01）I; C30B23/02（2006.01）I; C30B25/18（2006.01）I; C30B25/20（2006.01）I; C30B29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙永健; 郭坚; 阎宇哲; 王光普; 谌洛; 贾军峰; 豆学刚; 莫少琼 | 申请（专利权）人 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 | 代理人 | 王葶葶 |
| 地址 | 071051 河北省保定市国家高新区北二环惠阳街369号中关村创新基地1号楼A座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1‑3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。本实用新型复合衬底接近AlN单晶材料的性能，能够实现外延生长GaN单晶材料或器件或者AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高；且制备该复合衬底的设备成本低，从而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。 |
