一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910112086.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109920725A | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN109920725A | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L33/00（2010.01）I; C30B23/02（2006.01）I; C30B25/18（2006.01）I; C30B29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙永健; 郭坚; 王光普; 谌洛; 贾军峰; 豆学刚; 莫少琼 | 申请（专利权）人 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 | 代理人 | 王葶葶 |
| 地址 | 071051 河北省保定市国家高新区北二环惠阳街369号中关村创新基地1号楼A座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底的制备方法，c轴偏差在10‑20°以内、厚度为100‑1000微米、晶胞直径在1‑3微米的近单晶AlN透明陶瓷基板的制备：将纯净的AlN陶瓷粉体装入塑料袋中形成圆柱形放入温等静压设备中进行压制粉碎，二次压制，切割成衬底圆片放入烧结炉内两次高温烧结；在透明陶瓷基板上制备c轴取向偏差在5°以内、厚度5‑100微米的AlN或GaN准单晶层：利用分子束外延法或金属有机化合物气相沉积法等方法制备，高温烧结。本发明制备的复合衬底能够实现外延生长GaN或AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高，制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。 |
