一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010590343.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113838955A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113838955A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L33/20（2010.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙永健;郭坚;豆学刚;陆羽 | 申请（专利权）人 | 保定中创燕园半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭广迅;赵岩 |
| 地址 | 071000河北省保定市竞秀区向阳北大街2599号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底，包括：（a）氮化铝陶瓷基板；（b）图形结构层，包括位于所述氮化铝陶瓷基板上的图形结构，所述图形结构呈周期性间隔分布于所述氮化铝陶瓷基板上；和（c）多晶镀膜层，所述多晶镀膜层为覆盖在所述图形结构层和未被所述图形结构覆盖的氮化铝陶瓷基板上的连续层。本发明提供的基于AlN陶瓷材料的复合衬底用于生长GaN或AlN单晶材料，其在避免热失配位错的同时降低了衬底材料的成本。 |
