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一种半导体电阻桥封装结构和工艺

基本信息

申请号	CN201810127061.2	申请日	-
公开（公告）号	CN108447840B	公开（公告）日	2020-04-10
申请公布号	CN108447840B	申请公布日	2020-04-10
分类号	H01L23/488;H01L23/49;H01L21/603	分类	基本电气元件;
发明人	丁隽;马国荣;李保云	申请（专利权）人	积高电子（无锡）有限公司
代理机构	北京纽乐康知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	积高电子（无锡）有限公司
地址	214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园北区联合路10号（蠡园开发区胡埭工业园A幢三楼）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体电阻桥封装结构和工艺，该封装为二层结构，包括1颗半导体电阻桥芯片、2片焊片、2个金属电极和1层绝缘粘接层，所述半导体电阻桥芯片的2个引出端设有引出端焊盘；所述引出端焊盘上设有焊料渡涂层，所述电极上刻有芯腔，所述金属电极镀涂有焊料层；所述焊片上镀涂有焊料层；所述半导体电阻桥芯片通过所述绝缘粘接层粘接固定于所述芯腔中，所述焊片上的焊料层与所述引出端焊盘上的焊料渡涂层和所述金属电极上的焊料层焊接在一起。该封装结构为二层结构，封装结构简单，该封装结构的互连电阻更低、抗外界冲击能力更强；利用湿法刻蚀、加热加压焊接工艺替代半导体电阻桥封装中金属引线键合、包封、切割封装工艺，使封装效率更高。